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CG2H40035F氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT) CG2H40035F:高性能氮化镓HEMT晶体管
2023-11-02
CG2H40035F:高性能氮化镓HEMT晶体管 什么是氮化镓HEMT晶体管 氮化镓HEMT晶体管是一种高电子迁移率晶体管,由氮化镓材料制成。它具有高速、高功率、高可靠性等优点,是一种重要的射频功率放大器器件。 CG2H40035F晶体管的特点 CG2H40035F晶体管是一种高性能氮化镓HEMT晶体管,具有以下特点: 1. 高增益:增益达到20dB以上。 2. 高线性度:输出功率随输入功率线性增加。 3. 高效率:功率增益与电流增益之比高达50%以上。 4. 宽带宽:频带范围可达DC-6GH
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